ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA

Semiconductores extrínsecos Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso de impurificación (llamado  dopaje ), consistente en introducir átomos de otros elementos con el fin de aumentar su conductividad. El semiconductor obtenido se denominará  semiconductor extrínseco . Según la impureza (llamada dopante) distinguimos: Semiconductor tipo P :  se emplean  elementos trivalentes  (3 electrones de valencia) como el Boro (B), Indio (In) o Galio (Ga)  como dopantes . Puesto que no aportan los 4 electrones necesarios para establecer los 4 enlaces covalentes, en la red cristalina éstos átomos presentarán un defecto de electrones (para formar los 4 enlaces covalentes). De esa manera  se originan  huecos  que aceptan el paso de electrones que no pertenecen a la red cristalina. Así, al material tipo P también se le denomina donador de huecos (o aceptador de electrones). Semiconductor tipo N : Se ...

Semiconductores intrínsecos Un material semiconductor hecho sólo de un único tipo de átomo, se denomina  semiconductor intrínseco . Los más empleados históricamente son el  germanio  (Ge) y el  silicio  (Si); siendo éste último el más empleado (por ser mucho más abundante y poder trabajar a temperaturas mayores que el germanio). Cada átomo de un semiconductor tiene 4 electrones en su órbita externa (electrones de valencia), que comparte con los átomos adyacentes formando 4 enlaces covalentes. De esta manera cada átomo posee 8 electrones en su capa más externa., formando una red cristalina, en la que la unión entre los electrones y sus átomos es muy fuerte. Por consiguiente, en dicha red, los electrones no se desplazan fácilmente, y el material en circunstancias  normales  se comporta como un aislante.